Name: Мікросхема КР198НТ1 (А, Б) — матриці n-p-n транзисторів
Brand: Електро Maг
SKU: 1065089
Price: 1 UAH
Availability: InStock

Товари та послуги

Мікросхема КР198НТ1 (А, Б) — матриці n-p-n транзисторів

Viber

Facebook

Twitter

Копіювати посилання

Мікросхема КР198НТ1 (А, Б) — матриці n-p-n транзисторів від компанії Електро Mag (Електро маг) - фото 1

від 1 ₴

В наявності

Доставка

Детальніше про доставку

Оплата

Характеристики

Код товару

1065089

Виробник

Електро Maг

Країна виробництва

Україна

Опис

Микросхема КР198НТ1 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

Электрические параметры
Параметры	Условия	КР198НТ1А	КР198НТ1Б	Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 1	не более 1	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 0,7	не более 0,7	В
Обратный ток коллектора	при UКБ = 6 В, Т = +25 °С	не более 0,04	не более 0,04	мкА
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С	20…125	60…250	—
Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ1А, КР198НТ1Б	—	не более 15	не более 15	%
Разброс прямых напряжений база—эмиттер дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ1А, КР198НТ2А	—	не более 4	не более 4	мВ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	КР198НТ1А	КР198НТ1Б	Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база	—	15	15	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер	—	15	15	В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер	—	15	15	В
Обратное напряжение база— эмиттер	—	4	4	В
Постоянный ток коллектор	—	10	10	мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения	—	30	30	мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды	Т = -45…+85 °С одним транзистором	20	20	мВт
	Т = -45…+85 °С матрицей	100	100	мВт
Температура окружающей среды	—	-45…+85	-45…+85	°С

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость	Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА	Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер	Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем
Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость	Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды	Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Покупцям

Умови повернення та обміну