Транзистор 2Т830А

Транзистор 2Т830А  2 - Т830А, 2 Т830А, 2t830a, 2 - t830a, 2 t830a.

Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально - планарные структуры p - n - p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ - 2 - 7 ( - TO - 39) - .
Технические условия: аА0.339.139 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т830А:
• Структура транзистора: p - n - p -
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт -
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц -
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор - база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В -
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В -
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А -
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А -
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА ( - 35В) - -
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25 -
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 гр. )	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т830А	p - n - p	2	4	30 (25)	35	5	1 (5)	&gt - 25	&lt - 0,6	&lt - 0,1	&lt - 1	-	&gt - 4	150	350	150	- 60… + 125
2Т830Б	p - n - p	2	4	50 (45)	60	5	1 (5)	&gt - 25	&lt - 0,6	&lt - 0,1	&lt - 1	-	&gt - 4	150	350	150	- 60… + 125
2Т830В	p - n - p	2	4	70 (60)	80	5	1 (5)	&gt - 25	&lt - 0,6	&lt - 0,1	&lt - 1	-	&gt - 4	150	350	150	- 60… + 125
2Т830Г	p - n - p	2	4	90 (80)	100	5	1 (5)	&gt - 20	&lt - 0,6	&lt - 0,1	&lt - 1	-	&gt - 4	150	350	150	- 60… + 125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор - база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max&nbsp - - максимально допустимая температура перехода.
• Т max&nbsp - - максимально допустимая температура окружающей среды.