Транзистор КТ506А

Транзистор КТ506А КТ - 506А, КТ 506А, kt506a, kt - 506a, kt 506a.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы КТ506А, КТ506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора&nbsp - &nbsp - не более 2 г.
Тип корпуса: КТ - 2 - 7 ( - TO - 39) - .
Технические условия: аА0.336.653 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ506А:
• Структура транзистора: n - p - n -
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт -
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт -
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц -
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор - база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 800 В -
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В -
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А -
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А -
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА -
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30.. . 150 -
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ -
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ506А, КТ506Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
КТ506А	n - p - n	2	5	800	800	5	0,8 (10)	&gt - 30	0,6	1	1	10	-	40	1100	150	- 45… + 100
КТ506Б	n - p - n	2	5	600	600	5	0,8 (10)	&gt - 30	0,6	0,2	1	10	-	40	1100	150	- 45… + 100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор - база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max&nbsp - - максимально допустимая температура перехода.
• Т max&nbsp - - максимально допустимая температура окружающей среды.