Транзистор 2Т825Б
Доставка
Оплата
Характеристики
Опис
Транзистор 2Т825Б
Также это изделие может называться: 2 - Т825Б, 2 Т825Б, 2t825b, 2 - t825b, 2 t825b.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p - n - p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А - 5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
  -   - - в металлическом корпусе не более 20 г,
  -   - - кристалла не более 0,025 г.
Тип корпуса: КТ - 9 ( - ТО - 3) - .
Технические условия: аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825Б:
• Структура транзистора: p - n - p -
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт -
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц -
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В -
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А -
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А -
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750.. .18000 -
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ -
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А - 5:
Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h21Э | UКЭ нас. | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
2Т825А | p - n - p | 20 | 40 | 100 | - | 5 | 3 (125) | 500.. .18000 | < - 2 | - | - | - | > - 4 | < - 600 | < - 600 | 175 | - 60… + 125 |
2Т825Б | p - n - p | 20 | 40 | 80 | - | 5 | 3 (125) | 750.. .18000 | < - 2 | - | - | - | > - 4 | < - 600 | < - 600 | 175 | - 60… + 125 |
2Т825В | p - n - p | 20 | 40 | 60 | - | 5 | 3 (125) | 750.. .18000 | < - 2 | - | - | - | > - 4 | < - 600 | < - 600 | 175 | - 60… + 125 |
2Т825А - 5 | p - n - p | 20 | 40 | 100 | - | 5 | 3 (125) | 500.. .18000 | < - 2 | - | - | - | > - 4 | < - 600 | < - 600 | 175 | - 60… + 125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор - база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max  - - максимально допустимая температура перехода.
• Т max  - - максимально допустимая температура окружающей среды.