Транзистор 2Т825А

Транзистор 2Т825А 2 - Т825А, 2 Т825А, 2t825a, 2 - t825a, 2 t825a.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p - n - p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А - 5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
&nbsp - &nbsp - - в металлическом корпусе не более 20 г,
&nbsp - &nbsp - - кристалла не более 0,025 г.
Тип корпуса: КТ - 9 ( - ТО - 3) - .
Технические условия: аА0.339.054 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:
• Структура транзистора: p - n - p -
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт -
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц -
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В -
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А -
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А -
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500.. .18000 -
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ -
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А - 5:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т825А	p - n - p	20	40	100	-	5	3 (125)	500.. .18000	&lt - 2	-	-	-	&gt - 4	&lt - 600	&lt - 600	175	- 60… + 125
2Т825Б	p - n - p	20	40	80	-	5	3 (125)	750.. .18000	&lt - 2	-	-	-	&gt - 4	&lt - 600	&lt - 600	175	- 60… + 125
2Т825В	p - n - p	20	40	60	-	5	3 (125)	750.. .18000	&lt - 2	-	-	-	&gt - 4	&lt - 600	&lt - 600	175	- 60… + 125
2Т825А - 5	p - n - p	20	40	100	-	5	3 (125)	500.. .18000	&lt - 2	-	-	-	&gt - 4	&lt - 600	&lt - 600	175	- 60… + 125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор - база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max&nbsp - - максимально допустимая температура перехода.
• Т max&nbsp - - максимально допустимая температура окружающей среды.