Транзистор польовий 2П313Б

2П313Б
Транзисторы 2П313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Технические условия: ТФ0.336.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П313Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом,
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт,
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В,
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В,
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В,
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В,
• Iс - Ток стока постоянный: 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В 10В, 5мА,
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6,8 пФ,
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ,
• fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц