Транзистор біполярний 2Т372Б

2Т372Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на ярлыке, являющемся составной частью упаковки.
На корпусе между базовым и эмиттерным выводами наносится условная маркировка цветными точками:
- 2Т372А - одна зеленая,
- 2Т372Б - одна черная,
- 2Т372В - одна белая,
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-23-2.
Технические условия: ЖК3.365.246 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т372Б:
• Структура транзистора: n-p-n,
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт,
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3000 МГц,
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном конечном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В 10кОм,
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В,
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА,
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА,
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10,
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1 пФ,
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5,5 дБ на частоте 1 ГГц,
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс