Транзистор біполярний 2Т3129А-9
![Немає зображення](/pics/no_image_800_600.png)
Умови повернення та обміну
від 1 ₴
В наявності
Доставка
Нова Пошта
За тарифами перевізника
Оплата
Післяплата
Опис
2Т3129А-9
Транзисторы 2Т3129А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3129А-9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт,
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц,
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В,
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В,
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА,
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА,
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120,
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
Транзисторы 2Т3129А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3129А-9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт,
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц,
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В,
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В,
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА,
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА,
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120,
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
Под заказ, 14 дней.
Характеристики
Країна виробництва
Росія
Производитель
Электроника и связь
Дивіться також