Транзисторы

Транзистор биполярный 2SC3309 Технические данные: TO220F(NPN; 400V; 2A; 20W; 1мкс) Функциональное назначение: мощный высоковольтный

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д — транзисторы германиевые диффузионно - сплавные p - n - p переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс,...

Транзистор 2Т819А (КТ819А) Кремниевый эпитаксиальный меза - планарный n - p - n транзистор технические условия - аА0.339.142 ТУ функциональный аналог - 2N5068, BDW51 корпус - КТ - 9 (TO - 3) масса - 20 г

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д — транзисторы германиевые сплавные n - p - n усилительные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ.   Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при Iк = 1,5 А, Iб = 0,1 А не более … 1 В Напряжение насыщения база - эмиттер при Iк = 1,5 А, Iб =...

Диодный мост КЦ - 405Е Блоки из кремниевых, диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами: Тип блока КЦ405А, КЦ405Б, КЦ405В, КЦ405Г, КЦ405Д, КЦ405Е, КЦ405Ж, КЦ405И - однофазный мост для монтажа на печатную плату. Маркировка и схема соединения злектродов с выводами...

Транзистор ГТ108Б германиевый сплавной малой мощности, применяется в усилительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса не более 0,5 г. Технические характеристики транзистора германиевого сплавного малой...

КП901А Транзисторы КП901А, КП901Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n - типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе с...

КТ3117Б Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально - планарные структуры n - p - n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах. Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе и в...

1Т308АТранзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...

1Т308БТранзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...

1Т308ВТранзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...

1Т311АТранзисторы 1Т311А германиевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не...

1Т311БТранзисторы 1Т311Б германиевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не...

1Т311ГТранзисторы 1Т311Г германиевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не...

1Т311ДТранзисторы 1Т311Д германиевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не...